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陽(yáng)極正向電壓還未超過(guò)導能電壓時(shí)，可以重復加在可控硅兩端的正向峰值電壓?？煽毓璩惺艿恼螂妷悍逯?，不能超過(guò)手冊給出的這個(gè)參數值。3、反向阻斷峰值電壓VPR當可控硅加反向電壓，處于反向關(guān)斷狀態(tài)時(shí)，可以重復加在可控硅兩端的反向峰值電壓。使用時(shí)，不能超過(guò)手冊給出的這個(gè)參數值。4、控制極觸發(fā)電流Ig1、觸發(fā)電壓VGT在規定的環(huán)境溫度下，陽(yáng)極---陰極間加有一定電壓時(shí)，可控硅從關(guān)斷狀態(tài)轉為導通狀態(tài)所需要的小控制極電流和電壓。5、維持電流IH在規定溫度下，控制極斷路，維持可控硅導通所必需的小陽(yáng)極正向電流。許多新型可控硅元件相繼問(wèn)世，如適于高頻應用的快速可控硅，可以用正或負的觸發(fā)信號控制兩個(gè)方向導通的雙向可控硅，可以用正觸發(fā)信號使其導通，用負觸發(fā)信號使其關(guān)斷的可控硅等等?？煽毓璧姆诸?lèi)一、按關(guān)斷、導通及控制方式分類(lèi)：可控硅按其關(guān)斷、導通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆導可控硅、門(mén)極關(guān)斷可控硅（GTO）、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種。二、按引腳和極性分類(lèi)：可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅?？煽毓?SiliconControlledRectifier)簡(jiǎn)稱(chēng)SCR，是一種大功率電器元件，也稱(chēng)晶閘管。江西進(jìn)口可控硅模塊大概價(jià)格多少

可控硅簡(jiǎn)介可控硅（SiliconControlledRecTIfier）簡(jiǎn)稱(chēng)SCR，是一種大功率電器元件，也稱(chēng)晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長(cháng)等優(yōu)點(diǎn)。在自動(dòng)控制系統中，可作為大功率驅動(dòng)器件，實(shí)現用小功率控件控制大功率設備。它在交直流電機調速系統、調功系統及隨動(dòng)系統中得到了的應用?？煽毓璺謫蜗蚩煽毓韬碗p向可控硅兩種。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅，簡(jiǎn)稱(chēng)TRIAC。雙向可控硅在結構上相當于兩個(gè)單向可控硅反向連接，這種可控硅具有雙向導通功能。其通斷狀態(tài)由控制極G決定。在控制極G上加正脈沖（或負脈沖）可使其正向（或反向）導通。這種裝置的優(yōu)點(diǎn)是控制電路簡(jiǎn)單，沒(méi)有反向耐壓?jiǎn)?wèn)題，因此特別適合做交流無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)使用?？煽毓杼匦?、額定通態(tài)平均電流IT在一定條件下，陽(yáng)極---陰極間可以連續通過(guò)的50赫茲正弦半波電流的平均值。2、正向阻斷峰值電壓VPF在控制極開(kāi)路未加觸發(fā)信號，陽(yáng)極正向電壓還未超過(guò)導能電壓時(shí)，可以重復加在可控硅兩端的正向峰值電壓?？煽毓璩惺艿恼螂妷悍逯?，不能超過(guò)手冊給出的這個(gè)參數值。3、反向阻斷峰值電壓VPR當可控硅加反向電壓，處于反向關(guān)斷狀態(tài)時(shí)，可以重復加在可控硅兩端的反向峰值電壓。使用時(shí)，不能超過(guò)手冊給出的這個(gè)參數值。江西進(jìn)口可控硅模塊大概價(jià)格多少按引腳和極性分類(lèi)：可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅。

圖1所示為一個(gè)N溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結構，N+區稱(chēng)為源區，附于其上的電極稱(chēng)為源極。N+區稱(chēng)為漏區。器件的控制區為柵區，附于其上的電極稱(chēng)為柵極。溝道在緊靠柵區邊界形成。在漏、源之間的P型區（包括P+和P一區）（溝道在該區域形成），稱(chēng)為亞溝道區（Subchannelregion）。而在漏區另一側的P+區稱(chēng)為漏注入區（Draininjector），它是IGBT特有的功能區，與漏區和亞溝道區一起形成PNP雙極晶體管，起發(fā)射極的作用，向漏極注入空穴，進(jìn)行導電調制，以降低器件的通態(tài)電壓。附于漏注入區上的電極稱(chēng)為漏極。IGBT的開(kāi)關(guān)作用是通過(guò)加正向柵極電壓形成溝道，給PNP晶體管提供基極電流，使IGBT導通。反之，加反向門(mén)極電壓消除溝道，切斷基極電流，使IGBT關(guān)斷。IGBT的驅動(dòng)方法和MOSFET基本相同，只需控制輸入極N一溝道MOSFET，所以具有高輸入阻抗特性。當MOSFET的溝道形成后，從P+基極注入到N一層的空穴（少子），對N一層進(jìn)行電導調制，減小N一層的電阻，使IGBT在高電壓時(shí)，也具有低的通態(tài)電壓。IGBT和可控硅區別IGBT與晶閘管1.整流元件（晶閘管）簡(jiǎn)單地說(shuō)：整流器是把單相或三相正弦交流電流通過(guò)整流元件變成平穩的可調的單方向的直流電流。其實(shí)現條件主要是依靠整流管。

三、按封裝形式分類(lèi)：可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類(lèi)型。其中，金屬封裝可控硅又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種；塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。四、按電流容量分類(lèi)：可控硅按電流容量可分為大功率可控硅、率可控硅和小功率可控硅三種。通常，大功率可控硅多采用金屬殼封裝，而中、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝。五、按關(guān)斷速度分類(lèi)：可控硅按其關(guān)斷速度可分為普通可控硅和高頻（快速）可控硅。六、過(guò)零觸發(fā)-一般是調功，即當正弦交流電交流電電壓相位過(guò)零點(diǎn)觸發(fā)，必須是過(guò)零點(diǎn)才觸發(fā)，導通可控硅。七、非過(guò)零觸發(fā)-無(wú)論交流電電壓在什么相位的時(shí)候都可觸發(fā)導通可控硅，常見(jiàn)的是移相觸發(fā)，即通過(guò)改變正弦交流電的導通角（角相位），來(lái)改變輸出百分比?？煽毓枋褂靡巹t1、為了導通閘流管（或雙向可控硅），必須有門(mén)極電流≧IGT，直至負載電流達到≧IL，這條件必須滿(mǎn)足，并按可能遇到的低溫度考慮。2、要斷開(kāi)（切換）閘流管（或雙向可控硅）。過(guò)零觸發(fā)-一般是調功，即當正弦交流電交流電電壓相位過(guò)零點(diǎn)觸發(fā)，必須是過(guò)零點(diǎn)才觸發(fā)，導通可控硅。

指針指示還要比上一次稍大十幾至幾十歐，則表明可控硅良好，且觸發(fā)電壓（或電流）小。若保持接通A極或T2極時(shí)斷開(kāi)G極，指針立即退回∞位置，則說(shuō)明可控硅觸發(fā)電流太大或損壞?？砂磮D2方法進(jìn)一步測量，對于單向可控硅，閉合開(kāi)關(guān)K，燈應發(fā)亮，斷開(kāi)K燈仍不息滅，否則說(shuō)明可控硅損壞。對于雙向可控硅，閉合開(kāi)關(guān)K，燈應發(fā)亮，斷開(kāi)K，燈應不息滅。然后將電池反接，重復上述步驟，均應是同一結果，才說(shuō)明是好的。否則說(shuō)明該器件已損壞。左手665收藏時(shí)間：2016年2月6日18：40如何鑒別可控硅的三個(gè)極關(guān)鍵字：可控硅檢測方法鑒別可控硅三個(gè)極的方法很簡(jiǎn)單，根據P-N結的原理，只要用萬(wàn)用表測量一下三個(gè)極之間的電阻值就可以。陽(yáng)極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上，陽(yáng)極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上（它們之間有兩個(gè)P-N結，而且方向相反，因此陽(yáng)極和控制極正反向都不通）?？刂茦O與陰極之間是一個(gè)P-N結，因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍，反向電阻比正向電阻要大?？墒强刂茦O二極管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻斷狀態(tài)的，可以有比較大的電流通過(guò)，因此，有時(shí)測得控制極反向電阻比較小，并不能說(shuō)明控制極特性不好。另外。它有管芯是P型導體和N型導體交迭組成的四層結構，共有三個(gè)PN結。江西進(jìn)口可控硅模塊大概價(jià)格多少

可控硅的特性主要是:1.陽(yáng)極伏安特性曲線(xiàn)，2.門(mén)極伏安特性區。江西進(jìn)口可控硅模塊大概價(jià)格多少

可控硅觸發(fā)器/板是驅動(dòng)晶閘管的移相型電力控制器，其部件采用高性能、高可靠性的單片機。輸出觸發(fā)脈沖具有極高的對稱(chēng)性及穩定性，且不隨環(huán)境溫度變化，使用中不需要對脈沖對稱(chēng)度及限位進(jìn)行調整?，F場(chǎng)調試一般不需要示波器即可完成。接線(xiàn)簡(jiǎn)單，操作方便，可接受信：，手動(dòng)電位器10K，自帶限幅可調電位器，軟起時(shí)間可設定，功能多樣化。一般分為單相可控硅觸發(fā)板，三相可控硅觸發(fā)板。雙向可控硅觸發(fā)板等，輔助功能有：常用的開(kāi)環(huán)觸發(fā)板比較多，有閉環(huán)的，含恒流，恒壓，限壓，限流，軟起動(dòng)，限幅等。觸發(fā)類(lèi)型上分：光電隔離型觸發(fā)板，脈沖變壓型觸發(fā)板，變壓器隔離型觸發(fā)板，還有模擬觸發(fā)電路型等。它可的應用于工業(yè)各領(lǐng)域的電壓電流調節，適用于電阻性負載、電感性負載、變壓器一次側及各種整流裝置等。*以鎳鉻、鐵鉻鋁、遠紅外發(fā)熱元件及硅鉬棒、硅碳棒等為加熱元件的溫度控制。*鹽浴爐、工頻感應爐、淬火爐、熔融玻璃的溫度加熱控制。*整流變壓器、調功機（純電感線(xiàn)圈）、電爐變壓器一次側、升磁/退磁調節、直流電機控制。*電壓、電流、功率、燈光(高壓鈉燈控制必須用穩壓功能配套PID控制板)等無(wú)級平滑調節。江西進(jìn)口可控硅模塊大概價(jià)格多少