新疆出口IGBT模塊出廠(chǎng)價(jià)格 江蘇芯鉆時(shí)代電子供應 江蘇芯鉆時(shí)代電子供應

圖簡(jiǎn)單地給出了晶閘管開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程的電壓與電流波形。圖中開(kāi)通過(guò)程描述的是晶閘管門(mén)極在坐標原點(diǎn)時(shí)刻開(kāi)始受到理想階躍觸發(fā)電流觸發(fā)的情況；而關(guān)斷過(guò)程描述的是對已導通的晶閘管，在外電路所施加的電壓在某一時(shí)刻突然由正向變?yōu)榉聪虻那闆r（如圖中點(diǎn)劃線(xiàn)波形）。開(kāi)通過(guò)程晶閘管的開(kāi)通過(guò)程就是載流子不斷擴散的過(guò)程。對于晶閘管的開(kāi)通過(guò)程主要關(guān)注的是晶閘管的開(kāi)通時(shí)間t。由于晶閘管內部的正反饋過(guò)程以及外電路電感的限制，晶閘管受到觸發(fā)后，其陽(yáng)極電流只能逐漸上升。從門(mén)極觸發(fā)電流上升到額定值的10%開(kāi)始，到陽(yáng)極電流上升到穩態(tài)值的10%（對于阻性負載相當于陽(yáng)極電壓降到額定值的90%），這段時(shí)間稱(chēng)為觸發(fā)延遲時(shí)間t。陽(yáng)極電流從10%上升到穩態(tài)值的90%所需要的時(shí)間（對于阻性負載相當于陽(yáng)極電壓由90%降到10%）稱(chēng)為上升時(shí)間t，開(kāi)通時(shí)間t定義為兩者之和，即t=t+t通常晶閘管的開(kāi)通時(shí)間與觸發(fā)脈沖的上升時(shí)間，脈沖峰值以及加在晶閘管兩極之間的正向電壓有關(guān)。[1]關(guān)斷過(guò)程處于導通狀態(tài)的晶閘管當外加電壓突然由正向變?yōu)榉聪驎r(shí)，由于外電路電感的存在，其陽(yáng)極電流在衰減時(shí)存在過(guò)渡過(guò)程。陽(yáng)極電流將逐步衰減到零，并在反方向流過(guò)反向恢復電流，經(jīng)過(guò)**大值I后，再反方向衰減。

    因為正常的壓敏電阻粒界層只有一定大小的放電容量和放電次數，標稱(chēng)電壓值不*會(huì )隨著(zhù)放電次數增多而下降，而且也隨著(zhù)放電電流幅值的增大而下降，當大到某一電流時(shí)，標稱(chēng)電壓下降到0，壓敏電阻出現穿孔，甚至炸裂；因此必須限定通流容量。漏電流：指加一半標稱(chēng)直流電壓時(shí)測得的流過(guò)壓敏電阻的電流。由于壓敏電阻的通流容量大，殘壓低，抑制過(guò)電壓能力強；平時(shí)漏電流小，放電后不會(huì )有續流，元件的標稱(chēng)電壓等級多，便于用戶(hù)選擇；伏安特性是對稱(chēng)的，可用于交、直流或正負浪涌；因此用途較廣。2、過(guò)電流保護由于半導體器件體積小、熱容量小，特別像晶閘管這類(lèi)高電壓大電流的功率器件，結溫必須受到嚴格的控制，否則將遭至徹底損壞。當晶閘管中流過(guò)大于額定值的電流時(shí)，熱量來(lái)不及散發(fā)，使得結溫迅速升高，**終將導致結層被燒壞。產(chǎn)生過(guò)電流的原因是多種多樣的，例如，變流裝置本身晶閘管損壞，觸發(fā)電路發(fā)生故障，控制系統發(fā)生故障等，以及交流電源電壓過(guò)高、過(guò)低或缺相，負載過(guò)載或短路，相鄰設備故障影響等。晶閘管過(guò)電流保護方法**常用的是快速熔斷器。由于普通熔斷器的熔斷特性動(dòng)作太慢，在熔斷器尚未熔斷之前晶閘管已被燒壞；所以不能用來(lái)保護晶閘管。