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第三代試管嬰兒的技術(shù)也稱(chēng)胚胎植入前遺傳學(xué)診斷/篩查 [1]（PGD/PGS） [1]，指在IVF-ET的胚胎移植前，取胚胎的遺傳物質(zhì)進(jìn)行分析，診斷是否有異常，篩選健康胚胎移植，防止遺傳病傳遞的方法。檢測物質(zhì)取4～8個(gè)細胞期胚胎的1個(gè)細胞或受精前后的卵***二極體。取樣不影響胚胎發(fā)育。檢測用單細胞DNA分析法，一是聚合酶鏈反應（PCR），檢測男女性別和單基因遺傳病;另一種是熒光原位雜交（FISH），檢測性別和染色體病。第三代試管嬰兒技術(shù)可以進(jìn)行性別選擇，但只有當子代性染色體有可能發(fā)生異常并帶來(lái)嚴重后果時(shí)，才允許進(jìn)行性別選擇。本質(zhì)上，第三代試管嬰兒技術(shù)選擇的是疾病，而不是性別?？梢宰远x多條標簽。北京Hamilton Thorne激光破膜ZILOS-TK

發(fā)展上世紀60年代發(fā)明的一種光源，命名為激光，LASER是英文的“受激放射光放大”的首字母縮寫(xiě)。1962年秋***研制出 77K下脈沖受激發(fā)射的同質(zhì)結GaAs 激光二極管。1964 年將其工作溫度提高到室溫。1969年制造出室溫下脈沖工作的單異質(zhì)結激光二極管，1970年制成室溫下連續工作的 Ga1-xAlxAs/GaAs雙異質(zhì)結(DH)激光二極管。此后，激光二極管迅速發(fā)展。1975年 Ga1-xAlxAs/GaAsDH 激光二極管的壽命提高到105小時(shí)以上。In1-xGaxAs1-yPy/InP 長(cháng)波長(cháng)DH激光二極管也取得重大進(jìn)展，因而推動(dòng)了光纖通信和其他應用的發(fā)展。此外還出現了由Pb1-xSnxTe等 Ⅳ-Ⅵ族材料制成的遠紅外波長(cháng)激光二極管。北京1460 nm激光破膜PGD安裝維護簡(jiǎn)單，軟件界面友好，易于操作。

物理結構是在發(fā)光二極管的結間安置一層具有光活性的半導體，其端面經(jīng)過(guò)拋光后具有部分反射功能，因而形成一光諧振腔。在正向偏置的情況下，LED結發(fā)射出光來(lái)并與光諧振腔相互作用，從而進(jìn)一步激勵從結上發(fā)射出單波長(cháng)的光，這種光的物理性質(zhì)與材料有關(guān)。在VCD機中，半導體激光二極管是激光頭的**部件之一，它大多是由雙異質(zhì)結構的鎵鋁砷(AsALGA)三元化合物構成的，是一種近紅外半導體器件，波長(cháng)為780～820 nm，額定功率為3～5 mw。另外，還有一種可見(jiàn)光(如紅光)半導體激光二極管，也廣泛應用于VCD機以及條形碼閱讀器中。激光二極管的外形及尺寸如圖11所示。其內部結構類(lèi)型有三種，如圖11所示。

植入前遺傳學(xué)診斷（英文：preimplantation genetic diagnosis，PGD [2]），是在進(jìn)行胚胎移植前，從卵母細胞或受精卵中取出極體或從植入前階段的胚胎中取1~2個(gè)卵裂球或多個(gè)滋養層細胞進(jìn)行特定的遺傳學(xué)性狀檢測，然后據此選擇合適的胚胎進(jìn)行移植的技術(shù) [2-3]。為2019年公布的計劃生育名詞。

應用情況近年來(lái)，我國每年通過(guò)輔助生殖技術(shù)出生的嬰兒有數十萬(wàn)。胚胎植入前遺傳學(xué)診斷技術(shù)發(fā)展十分迅速。這項技術(shù)的廣泛應用，也為將來(lái)把基因組編輯技術(shù)用于人類(lèi)受精卵打下了基礎?；蚪M編輯存在出現差錯的可能性，有可能會(huì )發(fā)生脫靶或造成胚胎嵌合等現象。將來(lái)如果用于臨床，對基因組編輯后的受精卵進(jìn)行植入前遺傳學(xué)診斷是十分必要的 [2]。從卵母細胞或受精卵取出極體或從植入前階段的胚胎取1~2個(gè)卵裂球或多個(gè)滋養層細胞進(jìn)行的特定遺傳學(xué)性狀檢測，然后據此選擇合適的胚胎進(jìn)行移植的技術(shù)。 激光打孔時(shí)可以自動(dòng)保存圖像。

二、激光打孔技術(shù)在薄膜材料中的應用1.微孔加工在薄膜材料中，微孔加工是一種常見(jiàn)的應用場(chǎng)景。利用激光打孔技術(shù)，可以在薄膜材料上形成微米級的孔洞，滿(mǎn)足各種不同的應用需求。例如，在太陽(yáng)能電池板的生產(chǎn)中，利用激光打孔技術(shù)可以在硅片表面形成微孔，提高太陽(yáng)能的吸收效率。在濾膜的制備中，通過(guò)激光打孔技術(shù)可以制備出具有微孔結構的濾膜，實(shí)現對氣體的過(guò)濾和分離。2.納米級加工隨著(zhù)科技的發(fā)展，納米級加工成為了薄膜材料加工的重要方向。激光打孔技術(shù)作為一種先進(jìn)的加工手段，在納米級加工中具有廣泛的應用前景。通過(guò)精確控制激光束的能量和運動(dòng)軌跡，可以在薄膜材料上形成納米級的孔洞，實(shí)現納米級結構的制備。這種加工方式可以顯著(zhù)提高薄膜材料的性能，例如提高其力學(xué)性能、光學(xué)性能和電學(xué)性能等。3.特殊形狀孔洞的加工除了常規的圓形孔洞外，利用激光打孔技術(shù)還可以加工出各種特殊形狀的孔洞。例如，在柔性電子器件的制造中，需要將電路圖案轉移到柔性基底上。利用激光打孔技術(shù)可以在柔性基底上加工出具有特殊形狀的孔洞，從而實(shí)現電路圖案的轉移。這種加工方式可以顯著(zhù)提高柔性電子器件的性能和穩定性。借助電腦控制實(shí)現精確的激光定位，無(wú)需移動(dòng)培養皿，點(diǎn)擊鼠標即可移動(dòng)激光打靶位置。北京Hamilton Thorne激光破膜8細胞注射

通過(guò)調節激光參數，可根據不同胚胎的特點(diǎn)進(jìn)行個(gè)性化的輔助孵化，進(jìn)一步提高胚胎著(zhù)床率和妊娠成功率。北京Hamilton Thorne激光破膜ZILOS-TK

DFB-LD圖9 激光二極管F-P(法布里-珀羅）腔LD已成為常規產(chǎn)品，向高可靠**化方向發(fā)展。DFB-LD的激射波長(cháng)主要由器件內部制備的微小折射光柵周期決定，依賴(lài)沿整個(gè)有源層等間隔分布反射的皺褶波紋狀結構光柵進(jìn)行工作。DFB-LD兩邊為不同材料或不同組分的半導體晶層，一般制作在量子阱QW有源層附近的光波導區。這種波紋狀結構使光波導區的折射率呈周期性分布，其作用就像一個(gè)諧振控，波長(cháng)選擇機構是光柵。利用QW材料尺寸效應和DFB光柵的選模作用，所激射出的光的譜線(xiàn)很寬，在高速率調制下可動(dòng)態(tài)單縱模輸出。內置調制器的DFB-LD滿(mǎn)足光發(fā)射機小型、低功耗的要求。北京Hamilton Thorne激光破膜ZILOS-TK